浙江大学杨德仁院士将出席第二届第三代半导体晶体生长技术与市场研讨会并致辞

中国科学院院士，浙江大学材料科学与工程学院博士生导师，半导体材料研究所所长，硅材料国家重点实验室（浙江大学）学术委员会主任，浙大宁波理工学院院长杨德仁教授将出席第二届第三代半导体晶体生长技术研讨会并致辞。

中国科学院 院士 浙江大学 杨德仁教授

杨德仁， 江苏扬州人。半导体材料学家。 中国科学院院士 ， 浙江大学材料科学与工程学院 教授、博士生导师，半导体材料研究所所长， 硅材料国家重点实验室（浙江大学） 学术委员会主任，浙大宁波理工学院院长。

1985年毕业于浙江大学金属材料专业，1991年获半导体材料工学博士学位。1997年起担任 浙江大学 教授，2000年获聘教育部 长江学者计划 特聘教授，曾在日本、德国和瑞典访问工作，2017年当选 中国科学院院士 。  

长期从事半导体硅材料研究，提出了掺氮控制极大规模集成电路用直拉硅单晶微缺陷的思路，系统解决了氮关缺陷的基础科学问题；提出了微量掺锗控制晶格畸变的思路，发明了微量掺锗硅晶体生长系列技术，系统解决了相关硅晶体的基础科学问题；研究了纳米硅等的制备、结构和性能，成功制备出纳米硅管等新型纳米半导体材料。

第二届第三代半导体晶体生长技术与市场研讨会

主办单位：无锡市锡山区人民政府、长沙康博文化传媒有限公司

协办单位： 连科半导体有限公司、 中国电子科技集团第48研究所

赞助单位：

中宝 （西安 ）科技集团 有限公司（碳化硅晶体专用保温材料）

湖南芯易德科技有限公司

山东华特磁电科技股份有限公司

河南厚德钻石科技有限公司

河南中宜创芯发展有限公司

无锡连强智能装备有限公司

一、会议内容

第三代半导体晶体最新生长技术与市场交流。

二、时间地点

会议将于 5月9号-10号 在江苏 无锡 举办。

会议注册时间： 5月8号14:00—21:00

技术交流时间： 5月9号-10号

欢迎晚宴时间： 5月9号 18:00—21:00

三、会议背景

第三代半导体晶体生长技术与市场研讨会 将围绕目前碳化硅单晶的热点问题展开：中国科学院院士、浙江大学杨德仁教授； 清华大学公共安全研究院副院长、清华-波音联合研究中心执行主任张辉教授； 连城数控半导体晶体事业部总经理胡动力博士、山东天岳先进、 烁科晶体总经理助理马康夫先生、江苏集芯、浙江大学科创中心韩学峰研究员、浙江大学科创中心王蓉研究员、 中国电科48所王理正博士；河南中宜创芯发展有限公司技术总监杨正宏先生、哈尔滨科友半导体董事长赵丽丽教授、 无 锡 连 强 智能 装备 有限 公司总经理吴福文先生 等 将出席本次会议并做相应技术交流报告。

目前还有少量报告空缺，我们还 想 邀请 行业专家做一些关于第三代半导体的晶体生长技术、辅材技术、长晶设备、切割技术、检测技术的交流报告。

四、参会或赞助报名方式：

参会费用

原价3500/人，分享会议通知到朋友圈4月1号之前2000/人，5月1号以前2400/人,5月1号以后2800/人，现场缴费3500/人

参会报名 联系人周女士 电话&微信: 19074942390

会务赞助 联系人吕先生 电话&微信: 13707495656

协助办理会议、 报告赞助、展台赞助、宣传片播放赞助请联系会务赞助联系人吕先生。

图片设计由赞助单位提供，A4大小

六、付款方式

帐户名：长沙康博文化传媒有限公司

帐  号：8002 2811 0102 019

开户行：长沙银行湘江新区支行

开户银行代码：313551080484

支付宝账号：13517408663（邓丽辉） 

欢迎有兴趣做报告或赞助本次会议的企业与光伏见闻吕先生联系，联系方式：13707495656 （微信同号）。

半导体信息编辑部

2024.3.13

第 一 届第三代半导体晶体生长技术与市场研讨会

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