清华大学张跃钢/魏洋团队Nat. Commun.: 一维半金属接触二维半导体
时间:2023-01-12
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清华大学张跃钢/魏洋团队Nat. Commun.: 一维半金属接触二维半导体
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二维(2D)半导体由于其优异的栅极静电性能,在场效应晶体管(FET)的沟道长度 缩放方面 具有广阔的应用前景。然而,由于接触电阻的急剧 升高 和纳米 级 金属导电性的恶化,其接触长度的缩放仍然是一个重大挑战。在此研究中, 作者利用单壁碳纳米管(SWCNT)电极构建了一维(1D)半金属-二维半导体接触,可以将接触长度推到亚2 nm区域 。这种1D-2D异质结比2D-2D异质结表现出更小的 范德华间隙(vdW gap) ,而肖特基势垒高度(SBH)可以通过 栅极电势 有效调节以实现欧姆接触。 作者提出了一种纵向传输线模型,用于分析 器件 在短接触极限下的 电势 和电流分布,并利用该模型提取了极短接触下的1D-2D接触电阻率,该接触电阻率低至 10 -6 Ω cm 2 。进一步研究证明了具有栅极可调功函数的半金属纳米管可以与包括MoS2、WS2和WSe2在内的各种二维半导体形成良好的接触。一维半金属接触的研究为 未来纳米电子学 的进一步小型化提供了基础。
图4 一维半金属碳纳米管接触
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