(纯计算)山东大学牛成旺/戴瑛团队Phys. Rev. B: 二维铁电高阶拓扑绝缘体
时间:2023-02-12
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铁电性与能带拓扑的相互作用可以引起广泛的基础和应用研究。在此研究中,作者绘制了 二维铁电体中非平庸角态的出现,并 证明了铁电性和角态通过晶体对称耦合在一起,以实现高阶拓扑性的电控制 。 利用 密度泛函理论, 研究确定了一系列实验合成的二维铁电体,如In2Se3、BN和SnS,它们可以作为所提出的铁电高阶拓扑绝缘体的实际候选材料 。此研究工作不仅揭示了传统的铁电材料,而且开辟了一条连接高阶拓扑性和铁电性的途径,这 为下一代电子设备中的拓扑性提供了一个非易失性处理 。
图5 In2Se3的晶体结构、 占据的威尔逊能带和能谱
【其他相关文献】
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