北京大学高宇南/冯济团队Phys. Rev. Lett.: WSe2/MoSe2/WSe2异质三层中的亮和暗四极激子
时间:2023-11-12
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北京大学高宇南/冯济团队Phys. Rev. Lett.: WSe2/MoSe2/WSe2异质三层中的亮和暗四极激子
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过渡金属硫族化合物(TMD)异质结作为研究激子物理的 一个 平台 得到了广泛的研究 。 由于介电屏蔽减弱导致激子有更高的结合能,单层和少层TMD中显现出多种稳定的激子形态 ,包括中性激子、带电激子、双激子、层间激子等。其中,在不同TMD堆垛形成的二维异质结中,层间激子具有永久偶极矩,所以它们的种类、相互作用和运动可通过静电场方便地进行调控。 虽然W Se 2 /Mo Se 2 等异质双层受到了极大的关注,但 对于可能提供新的激子种类和相以及独特物理性质的 异质三层材料的研究相对较少。
在此研究中, 作者对 W Se 2 /MoSe 2 /WSe 2 异质 三层器件中四极激子(QXs)的发射性质进行了理论和实验研究,这是一种新预测的激子类型。研究发现表明, QXs的光学亮度或暗度是由水平镜 像 对称性、谷和自旋选择规则决定的 。此外, 由于空穴分布和 Stark 效应的变化,可以通过施加面外电场来 调节 亮和暗QXs的发射强度和能量 。这项研究结果不仅为异质三层中QXs的存在提供了实验证据,而且揭示了它们的新性质,这有可能推动基于激子新应用的发展。
图4 (a) 通过高斯拟合提取高能层间激子的峰值能量;(b) 高能层间激子的归一化积分PL强度和理论模型结果;(c) 不同ΔV下高能层间激子的时间分辨PL;(d) 不同ΔV下 提取的场敏感元件的寿命和强度
【其他相关文献】
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