Intel 22nm工艺中
，
关于contact连线有个细节工艺叫SAC
，
全称叫
self-aligned contact
，
中文翻译叫
自对准接触
，
有读者后台留言想了解具体细节
，
这篇文章详细介绍下SAC工艺
。
简单来说说
，
SAC工艺就是在栅极gate上方添加一层保护性介电层
，
目的是防止源
，
漏极的contact与栅极gate短路
。
主要原因是当时contact的pitch越来越小
，
source/drain contact很容易发生偏移
，
造成与gate短路
，
最终导致low yield
。
Intel在其22nm FinFET工艺中首先推出SAC flow
，
主要是添加了三个步骤
，
具体流程如下
：
Intel标准工艺形成metal gate
metal gate向下凹陷
向下凹陷的区域中填充氮化硅etch stop layer然后CMP磨平
然后覆盖一层氧化硅
最后进行contact patterning
最主要差异就是在metal gate的上面添加一层氮化硅和氧化硅
，
这样即使source/drain的contact overlaid on metal gate上
，
由于氮化硅介电质存在
，
也不至于短路
，
这样就大大提高了misalignment margin
。
上面的二维图可能不好理解
，
这里要说明的是
，
Gate上也有contact
，
但是和source/drain的contact不在同一水平面位置
，
所以source/drain的contact发生偏移
，
即使和gate接触了
，
只要没有和gate下面的金属接触都没有关系
，
不影响正常连线
。
如果没有SAC flow
，
Intle 22nm制程中contact misalignment margin只有+-5nm
，
10nm左右的misalignment就会造成20%左右的yield loss
，
但是增加了SAC flow以后
，
gate 到 contact的shift margin可以达到25nm
，
良率显著提高
。
现赏来
，
SAC flow很简单
，
只不过了增加几步process
，
但是这在当年很有创造性
，
而且效果非常明显
，
大大提高了良率
，
不得不说intel的工程师还是非常厉害的。
