首页 > 行业资讯 > 三安光电、烁科晶体、天岳先进、宁波捷芯、48所、46所、泰科天润、科友、连科等齐聚长沙,碳化硅晶体盛会即将召开!

三安光电、烁科晶体、天岳先进、宁波捷芯、48所、46所、泰科天润、科友、连科等齐聚长沙,碳化硅晶体盛会即将召开!

时间:2023-10-27 来源: 浏览:

三安光电、烁科晶体、天岳先进、宁波捷芯、48所、46所、泰科天润、科友、连科等齐聚长沙,碳化硅晶体盛会即将召开!

光伏见闻
光伏见闻

pv-news

光伏见闻是中国领先的光伏新媒体,专注于光伏技术、光伏新闻、光伏政策分享。

收录于合集

SiC单晶衬底占碳化硅芯片的成本在50%左右 ,SiC单晶的成本之所以这么高,主要是因为 碳化硅单晶的良率低,生长时间长,主要辅材石墨材料和石墨保温毡材料主要依赖进口等 。要想大幅降低碳化硅衬底成本,实现碳化硅器件的大规模应用,必须 解决碳化硅单晶良率过低、生产效率过低的问题,以及实现石墨材料、石墨保温毡等辅材的国产化替代 。而 在SiC单晶生长环节中,主要存在2个良率差异现象:一是企业之间的良率差异非常大,领先型企业的良率可以高达50%-60%,而一些新进入者的良率水平在0-30%之间;其次是单个企业不同批次的晶体良率存在一定的波动。
为了提高第三代半导体晶体生长良率和生长效率、实现石墨材料和石墨保温毡材料的国产化替代 ,长沙市工信局、中国电子科技集团第48研究所、湖南东映碳材料科技股份有限公司、长沙康博文化传媒有限公司共同发起 第三代半导体晶体生长技术与市场研讨会。 本次会议报告将聚焦如下焦点: 1、第三代半导体晶体生长技术交流; 2、 第三代半导体晶体生长辅材的技术交流; 3、第三代半导体晶体设备的技术交流;4、第三代半导体晶体检测技术交流;5、第三代半导体切割工艺技术与设备交流;6、第三代半导体外延技术交流等。
本次会议聚焦第三代半导体晶体生长技术。清华大学张辉教授、西安交通大学李早阳副教授、西安交通大学 陈雪江教授 碳化硅晶体生长原理方面为提高碳化硅晶体良率指明方向 ,三安光电研发总监高玉强博士、烁科晶体总经理助理马康夫先生、中电科46所首席科学家王英民先生、宁波捷芯半导体材料有限公司总经理赵新田先生则聚焦碳化硅晶体生长工艺,连科半导体总经理胡动力博士、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司董事长赵丽丽教授、郑州科创电子有限公司则聚焦碳化硅长晶设备;四川福碳新材料科技有限公司首席科学家天津大学冯奕钰教授则聚焦石墨国产化替代;而湖南东映碳材料科技股份有限公司研发总监伍孝博士则聚焦石墨保温毡国产化替代。组委会希望群策群力,加速提高第三代半导体晶体生长良率和生长效率,加速降低碳化硅晶体生长成本。

第三代半导体晶体生长技术与市场研讨会

一、会议组织单位、时间、地点

主办单位:长沙市工信局

承办单位:

中国电子科技集团第48研究所

湖南东映碳材料科技股份有限公司

长沙康博文化传媒有限公司

协办单位:

湖南宇晶机器股份有限公司

晚宴冠名

四川福碳新材料科技有限公司

支持单位:

烟台凯泊复合材料科技有限公司

赛迈科先进材料股份有限公司

连科半导体有限公司

北京中光睿华科技有限公司

郑州科创电子有限公司

湖南芯易德科技有限公司

厚礼博精密仪器(北京)有限公司

江苏才道精密仪器有限公司

支持媒体:

半导体信息、光伏见闻、光伏、DT新材料、DT半导体、碳纤维研习社

会议时间、地点

会议将于 11月23号 在湖南 长沙步步高福朋喜来登酒店三楼宴会厅 举办。

会议注册时间: 11月22号14:00—21:00

技术交流时间: 11月23号9:00—17:00

欢迎晚宴时间: 11月23号 18:30—21:00

参观48所时间: 11月24号9:00 —12:00

二、会议议程

时间

  

11月22日

14:00-21:00 参会代表一楼大堂注册签到

11月23日

2023第三代半导体技术研讨会

8 : 30-8 : 40

长沙市彭涛副市长致辞

8:40-8:45

三安光电董事长林志强先生致辞

8:45-8:50

长沙康博文化传媒有限公司总编辑吕东先生致辞

报告内容

单位

报告人

8 : 50-9 : 20

大尺寸碳化硅晶体生长的多尺度效应及设备热场与工艺过程的匹配

清华大学

张辉教授

9:20-9:50

题目待定

湖南三安光电

研发总监高玉强博士

9:50-10:20

题目待定

浏阳泰科天润半导体技术有限公司

董事长陈彤先生

10:20-10:30

          

1 0 : 3 0 - 1 0 : 50

题目待定

四川福碳新材料科技有限公司

首席科学家冯奕钰教授

10:50-11:10

题目待定

连科半导体有限公司

总经理胡动力博士

11:10-11:30

题目待定

赛迈科先进材料股份有限公司

11:30-12:00

题目待定

湖南宇晶机器股份有限公司

1 2 : 0 0 - 1 3 3 0

                 

1 3 : 3 0 - 1 4 0 0

SiC单晶衬底材料技术浅析及产业发展思考

烁科晶体

总经理助理马康夫先生

1 4 : 0 0 - 1 4 20

SiC晶体外延生长微观机理研究

西安交通大学

陈雪江教授

1 4 : 20- 1 4 50

碳化硅单晶生长技术进展

中国电子科技集团第 46研究所

首席科学家王英民先生

1 4 : 50- 1 5 10

科友 8英寸碳化硅衬底产业化进展

哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司

赵丽丽董事长

1 5 : 10- 1 5 30

            

15:30-15:50

第三代半导体装备国产化创新之路

中国电子科技集团第 48研究所

王理正博士

15:50-16:10

题目待定

郑州科创电子有限公司

1 6 : 10- 1 6 : 30

氧化镓单晶生长及数值模拟研究

西安交通大学

李早阳教授

1 6 : 30- 1 6 : 50

第三代半导体用石墨保温毡国产化替代

湖南东映碳材料科技股份有限公司

研发总监伍孝博士

1 6 : 5 0 - 1 7 : 10

长沙步步高福朋喜来登酒店三楼宴会厅(目前还有少量展位剩余)

三、参会或赞助报名方式:

参会报名需缴纳会务费。会务费包括:会务、资料、餐费(不含交通、住宿费)等。 参会报名 联系人周女士 电话&微信: 19074942390,或者扫描二维码报名。

注明:单位+姓名

参会费用

会务赞助 联系人吕先生 电话&微信: 13707495656

协助办理会议、报告赞助、展台赞助、宣传片播放赞助请联系会务赞助联系人吕先生,目前还有少量展台剩余。

项目

享有权益

价格

易拉宝

0.8米*2米会议现场摆放,图片由企业提供

3000

胸牌

胸牌一面展示

12000

手提袋广告

手提袋一面展示

15000

资料入袋

参会代表资料袋中放置赞助单位的宣传资料(纸张大小不超过A4,页数不超过10P)

4000

礼品赞助

赞助方给参会代表提供礼品一份

6000

图片设计由赞助单位提供

四、付款方式

帐户名:长沙康博文化传媒有限公司

帐  号:8002 2811 0102 019

开户行:长沙银行湘江新区支行

开户银行代码:313551080484

支付宝账号:13517408663(邓丽辉)  

五、会议酒店:

会议酒店:  长沙步步高福朋喜来登酒店

酒店地址: 长沙市岳麓区枫林三路1099号福朋喜来登酒店 

协议房价 大/ 双床房 单早500元/晚 双早550元/晚

预订电话: 0731-88049999转酒店客房预订部, 时间9:00-17:30

六、交通指南

会议报到地点为长沙步步高福朋喜来登酒店一楼大堂,位于 长沙市岳麓区枫林三路1099号。酒店距离长沙市黄花机场50公里左右,可以从机场乘坐地铁6号线直达酒店,酒店距离一师范西校区2口500米左右,步行7分钟;酒店距离长沙南站33公里,可以乘坐地铁2号线再转6号线到 一师范西校区 下, 酒店距离一师范西校区2口500米左右,步行7分钟。

版权:如无特殊注明,文章转载自网络,侵权请联系cnmhg168#163.com删除!文件均为网友上传,仅供研究和学习使用,务必24小时内删除。
相关推荐