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(纯计算)普林斯顿大学Phys. Rev. Mater.: kagome金属RV6Ge6中的强拓扑绝缘体相

时间:2023-11-03 来源: 浏览:

(纯计算)普林斯顿大学Phys. Rev. Mater.: kagome金属RV6Ge6中的强拓扑绝缘体相

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#kagome材料 33
#拓扑材料 36
2023年10月10日,Phys. Rev. Mater.在线发表了普林斯顿大学M. Zahid Hasan和Md. Shafayat Hossain 课题组的研究论文,题目为《 Prediction of strong topological insulator phase in kagome metal R V 6 Ge 6 》。


历史上用于编织篮子和宗教仪式的 kagome晶格(包括几何阻挫的共享三角形)已成为研究量子物理中奇异物质相的一个令人兴奋的平台,如量子自旋液体、Chern磁性、手性电荷密度波和拓扑超导 。尽管对kagome化合物有着极大的兴趣,但对这种晶格 强拓扑绝缘体的探索却很少。

在此研究中,作者提出了一种新型kagome化合物 家族 R V 6 Ge 6 R = Sc、Y和Gd) ,以容纳这种强拓扑绝缘体相。该相具有 背散射弹性表面态 特征,这是由能带反转产生的体相绝缘带隙来保护的。Hilbert空间中能带结构的拓扑不变量能够识别不同 类型 带隙打开的能带结构,并通过从头计算证实 R V 6 Ge 6 中费米能级附近 的能带存在Z 2 拓扑不变量 。研究确定R V 6 Ge 6kagome 化合物中的一个强拓扑绝缘体家族,进一步扩展了这种奇异晶格几何 结构 的拓扑可能性。值得注意的是, 费米能级附近的电子结构由钒 kagome 晶格平面主导 可以将其与琐碎的能带隔离开来, 这为研究 kagome 物理提供了一个令人兴奋的机会。此外, 在R V 6 Ge 6 中观察到拓扑绝缘体相,其中钒价态处于d轨道, 通过在钒位中掺杂和引入不成对的d电子,在拓扑态中引入长程磁序


图1  R V 6 Ge 6 在没有SOC的情况下表现出无带隙的电子结构

图2  Tb V 6 Ge 6 中SOC诱导的带隙打开

图3 TbGe端的原子和电子结构

图4 其他R V 6 Ge 6 (R = Sc, Y, Gd)中SOC诱导的带隙打开

图5 Tb、V和Ge在Tb V 6 Ge 6 能带结构中的贡献


论文链接
Ahsan, T., Hsu, C.H., Hossain, M.S. et al. Prediction of strong topological insulator phase in kagome metal R V 6 Ge 6 . Ph ys. Rev. Mater. , 2023 , 7, 104204. https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.7.104204

【其他相关文献】

[1] Yin, JX., Ma, W., Cochran, T.A. et al. Quantum-limit Chern topological magnetism in TbMn 6 Sn 6 . Nature , 2020 , 583, 533–536. https://doi.org/10.1038/s41586-020-2482-7
[2]  Arachchige, H.W.S., Meier, W.R., Marshall, M. et al. Charge density wave in kagome lattice intermetallic ScV 6 Sn 6 . Phys. Rev. Lett ., 2022 , 129, 216402. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.129.216402
[3]  Hu, Y., Wu, X., Yang, Y. et al. Tunable topological Dirac surface states and van Hove singularities in kagome metal GdV 6 Sn 6 . Sci. Adv. , 2022 , 8, eadd2024 . https://doi.org/ 10.1126/sciadv.add2024
普林斯顿大学Nat. Phys.: 可调拓扑驱动的费米弧范霍夫奇点
普林斯顿大学Phys. Rev. Lett.: 手性晶体中高折叠拓扑的可视化
普林斯顿大学Phys. Rev. Lett.: 超导Dirac半金属中的Cooper对共存
(综述)普林斯顿大学Nature: 拓扑kagome磁体和超导体

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