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(纯计算)济南大学/山东大学团队Nano Lett.: 反演对称单层晶格的层极化反常霍尔效应

时间:2024-01-16 来源: 浏览:

(纯计算)济南大学/山东大学团队Nano Lett.: 反演对称单层晶格的层极化反常霍尔效应

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2024年1月12日,Nano Lett.在线发表了济南大学张婷博士和山东大学马衍东教授 课题组的研究论文,题目为《 Layer-Polarized Anomalous Hall Effects from Inversion-Symmetric Single-Layer Lattices 》。


霍尔效应源于电子与磁场物理的相互作用,揭示了晶体固体中电子输运的复杂性。这种相互作用的起源在于Berry曲率与多个电子自由度的耦合,包括自旋、谷 和其他 。在时间反演(T)或空间反演(P)对称性破坏的体系中,非零Berry曲率可能导致垂直于所施加电场方向的反常速度,从而固有地导致霍尔效应。 量子反常霍尔效应 (QAHE)和 谷霍尔效应 (VHE)是这种内在机制的典型例子;即,QAHE建立了将Berry曲率与T对称性 破缺 相关的自旋自由度 联系起来 ,而VHE将Berry 曲率 与P对称性 破缺 影响的谷自由度 联系起来

除了自旋和谷,层状材料中的电子表现出一种独特的自由度, 即层自由度 这种自由度划分了实际空间。电子中独特的层自由度激发了一种独特的霍尔效应,称为 层霍尔效应 (LHE)。由于层自由度和Berry曲率之间的相互作用,不同层中的电子经历相反的偏转。在P对称性 破缺 的情况下,出现了 层极化反常霍尔效应 (LP-AHE), 其特征是 电子只在给定的层中偏转

在此研究中,作者提出了一个通用的设计原则以实现反演对称单层晶格的LP-AHE。通过紧束缚模型分析,研究证明了通过 反铁磁范德华双层晶格的堆垛可以实现PT对称性和垂直外偏压之间的耦合物理 。这种耦合揭示了先前中和的层锁定Berry曲率,迫使载流子在给定层内沿特定方向移动,从而实现LP-AHE。有趣的是, LP-AHE的手性可以通过调节垂直 外偏压 的方向来有效地转换 。在 双层 T-FeCl 2 MnPSe 3 中的 第一性 原理计算 验证了这一机制。这项研究结果为LP-AHE的新探索铺平了道路。


图1  基于反演对称单层晶格的LP-AHE实现原理图

图2  电场E +z 和E –z 下紧 束缚模型的K和K’谷周围的能带结构

图3 电场 E +z 和E –z 下双层 T-FeCl 2 的能带结构、Berry曲率和LP-AHE图

图4 电场 E +z 和E –z 下双层 MnPS e 3 的能带结构、Berry曲率和LP-AHE图


论文链接
Zhang, T., Xu, X., Guo, J. et al. Layer-Polarized Anomalous Hall Effects from Inversion-Symmetric Single-Layer Lattices . Nano Lett . , 2024 . https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.3c04597

【其他相关文献】

[1] Gao, A., Liu, YF., Hu, C. et al. Layer Hall effect in a 2D topological axion antiferromagnet. Nature , 2021 , 595, 521–525. https://doi.org/10.1038/s41586-021-03679-w
[2]  Feng, Y., Dai, Y., Huang, B. et al. Layer Hall Effect in Multiferroic Two-Dimensional Materials. Nano Lett ., 2023 , 23, 5367–5372. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.3c01651
[3]  Zhang, T., Xu, X., Huang, B. et al. Layer-Polarized Anomalous Hall Effects in Valleytronic Van der Waals Bilayers. Mater. Horiz ., 2023 , 10, 483–490 . https://doi.org/10.1039/D2MH00906D
[4]  Peng, R., Zhang, T., He, Z. et al. Intrinsic Layer-Polarized Anomalous Hall Effect in Bilayer MnBi 2 Te 4 . Phys. Rev. B , 2023 , 107, 085411 . https://doi.org/10.1103/PhysRevB.107.085411
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