(纯计算)济南大学/山东大学团队Nano Lett.: 反演对称单层晶格的层极化反常霍尔效应
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霍尔效应源于电子与磁场物理的相互作用,揭示了晶体固体中电子输运的复杂性。这种相互作用的起源在于Berry曲率与多个电子自由度的耦合,包括自旋、谷 和其他 。在时间反演(T)或空间反演(P)对称性破坏的体系中,非零Berry曲率可能导致垂直于所施加电场方向的反常速度,从而固有地导致霍尔效应。 量子反常霍尔效应 (QAHE)和 谷霍尔效应 (VHE)是这种内在机制的典型例子;即,QAHE建立了将Berry曲率与T对称性 破缺 相关的自旋自由度 联系起来 ,而VHE将Berry 曲率 与P对称性 破缺 影响的谷自由度 联系起来 。
除了自旋和谷,层状材料中的电子表现出一种独特的自由度, 即层自由度 这种自由度划分了实际空间。电子中独特的层自由度激发了一种独特的霍尔效应,称为 层霍尔效应 (LHE)。由于层自由度和Berry曲率之间的相互作用,不同层中的电子经历相反的偏转。在P对称性 破缺 的情况下,出现了 层极化反常霍尔效应 (LP-AHE), 其特征是 电子只在给定的层中偏转 。
在此研究中,作者提出了一个通用的设计原则以实现反演对称单层晶格的LP-AHE。通过紧束缚模型分析,研究证明了通过 反铁磁范德华双层晶格的堆垛可以实现PT对称性和垂直外偏压之间的耦合物理 。这种耦合揭示了先前中和的层锁定Berry曲率,迫使载流子在给定层内沿特定方向移动,从而实现LP-AHE。有趣的是, LP-AHE的手性可以通过调节垂直 外偏压 的方向来有效地转换 。在 双层 T-FeCl 2 和 MnPSe 3 中的 第一性 原理计算 验证了这一机制。这项研究结果为LP-AHE的新探索铺平了道路。
图4 电场 E +z 和E –z 下双层 MnPS e 3 的能带结构、Berry曲率和LP-AHE图
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