西安交大陈雪江副教授将出席三代半晶体生长技术研讨会并做《SiC晶体外延生长微观机理研究》的报告

西安交通大学能源与动力工程学院陈雪江副教授将出席第三代半导体晶体生长技术与市场研讨会，并将在会上做《SiC晶体外延生长微观机理研究》的报告。

西安交通大学能源与动力工程学院李早阳副教授

陈雪江，博士，西安交通大学能源与动力工程学院副教授，能源与动力工程系主任，学院实验教学中心主任，陕西省流体机械工程技术研究中心副主任，教育部“新世纪优秀人才计划”入选者，主要从事流体工程及管网控制、SiC晶体生长机理的热物理问题方面的研究。1997年、2000年、2003年分别获西安交通大学流体机械与透平机械专业学士、动力工程与工程热物理学科硕士和博士学位。2004年至2005年在韩国高等科学技术研究院 ( KAIST )任 “BK 21”博士后，2005年至2010年在日本九州大学应用力学研究所任助理教授（讲师）、学术研究员，2010年回西安交通大学任教。目前在国内外学术期刊上发表学术论文60多篇，其中SCI检索近40余篇，获批发明专利10项。参加国际、国内学术会议60余次，主持省部级教改项目2项，获得陕西省高等教育教学成果奖一等奖2项，指导本科生科创竞赛并获得国家级赛事一等奖7项。

报告摘要

基于SiC晶体外延生长中微观原子的动力学过程，发展了一种能够更加精确地捕获生长表面微观原子动力学过程信息的三维的动力学蒙特卡罗（KMC）模型。首先，应用该模型研究了SiC晶体外延生长初期成核特性，发展了考虑不稳定团簇分解速率的二元组自适应方程，将其应用至SiC晶体外延成核初期生长过程的描述，并提出了两种控制单体吸附长度的机制。其次，利用该模型研究了生长参数对台阶型SiC晶体生长模式的影响规律，揭示了各向异性台阶流动生长微观形成机理；针对SiC(0001)邻晶面生长过程中台阶聚并和台阶蜿蜒形貌特征，采用BCF理论模型讨论了台阶聚并的形成机理以及台阶流动生长过程中的失稳机理。

第三代半导体晶体生长技术与市场研讨会

一、会议组织单位、时间、地点

主办单位：长沙市工信局

承办单位：

中国电子科技集团第48研究所

湖南东映碳材料科技股份有限公司

长沙康博文化传媒有限公司

协办单位：

湖南宇晶机器股份有限公司

晚宴冠名 ：

四川福碳新材料科技有限公司

支持单位：

烟台凯泊复合材料科技有限公司

赛迈科先进材料股份有限公司

湖南顶立科技股份有限公司

连科半导体有限公司

北京中光睿华科技有限公司

郑州科创电子有限公司

湖南芯易德科技有限公司

厚礼博精密仪器（北京）有限公司

中宝（西安）科技集团有限公司

惠丰钻石股份有限公司

河南厚德钻石科技有限公司

苏州达肯过滤技术有限公司

支持媒体：

半导体信息、光伏见闻、光伏、DT新材料、DT半导体、碳纤维研习社

会议时间、地点

会议将于 11月23号 在湖南 长沙步步高福朋喜来登酒店三楼宴会厅 举办。

会议注册时间： 11月22号14:00—21:00

技术交流时间： 11月23号9:00—17:00

欢迎晚宴时间： 11月23号 18:30—21:00

参观48所时间： 11月24号9:00 —12:00

二、会议议程

主持人：晶澳助理总裁边志坚先生、湖南大学吕铁铮教授

时间	内    容
11月22日	14:00-21:00 参会代表一楼大堂注册签到
11月23日	2023第三代半导体技术研讨会
8 : 30-8 : 40	长沙市彭涛副市长致辞
8:40-8:45	三安光电董事长林志强先生致辞
8:45-8:50	长沙康博文化传媒有限公司总编辑吕东先生致辞
	报告内容	单位	报告人
8 : 50-9 : 20	大尺寸碳化硅晶体生长的多尺度效应及设备热场与工艺过程的匹配	清华大学	张辉教授
9:20-9:50	碳化硅半导体材料和产业	湖南三安光电	研发总监高玉强博士
9:50-10:20	当前碳化硅项目 到底要建多大的线？再分析碳化硅行业规模化发展的谜题与难题	浏阳泰科天润半导体技术有限公司	董事长陈彤先生
10:20-10:30	茶      歇    观    展
1 0 : 3 0 - 1 0 : 50	第三代半导体用石墨国产化替代	四川福碳新材料科技有限公司	首席科学家冯奕钰教授
10:50-11:10	题目待定	连科半导体有限公司	总经理胡动力博士
11:10-11:30	半导体制造用石墨及碳材料	赛迈科先进材料股份有限公司
11:30-12:00	SiC晶体外延生长微观机理研究	西安交通大学	陈雪江教授
1 2 : 0 0 - 1 3 ： 3 0	自       助       午       餐
1 3 : 3 0 - 1 4 ： 0 0	SiC单晶衬底材料技术浅析及产业发展思考	烁科晶体	总经理助理马康夫先生
1 4 : 0 0 - 1 4 ： 20	题目待定	湖南宇晶机器股份有限公司
1 4 : 20- 1 4 ： 50	碳化硅单晶生长技术进展	中国电子科技集团第 46研究所	首席科学家王英民先生
1 4 : 50- 1 5 ： 10	科友 8英寸碳化硅衬底产业化进展	哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司	赵丽丽董事长
1 5 : 10- 1 5 ： 30	茶      歇     观     展
15:30-15:50	第三代半导体装备国产化创新之路	中国电子科技集团第 48研究所	王理正博士
15:50-16:10	题目待定	郑州科创电子有限公司
1 6 : 10- 1 6 : 30	氧化镓单晶生长及数值模拟研究	西安交通大学	李早阳教授
1 6 : 30- 1 6 : 50	第三代半导体用石墨保温毡国产化替代	湖南东映碳材料科技股份有限公司	研发总监伍孝博士
1 6 : 5 0 - 1 7 : 10

长沙步步高福朋喜来登酒店三楼宴会厅（目前还有少量展位剩余）

A1 上海绅能科技有限公司 、 A2惠丰钻石股份有限公司、 A3厚德钻石、 A4中宝（西安）科技集团有限公司、A5江苏才道精密仪器有限公司、A6郑州科创电子有限公司、A7湖南宇晶机器股份有限公司、A8湖南顶立科技股份有限公司、A9苏州达肯过滤技术有限公司、 A10 荣通新材料技术衡水有限公司 、B2 山西中电科新能源技术有限公司、 B3北京北方亿恒科技有限公司、B4北京中光睿华科技有限公司、B5四川福碳新材料科技有限公司、B6烟台凯泊复合材料科技有限公司、B7赛迈科先进材料股份有限公司、B8连科半导体有限公司、B9 无锡艾瑞杰陶瓷技术有限公司

三、参会或赞助报名方式：

参会报名需缴纳会务费。会务费包括：会务、资料、餐费（不含交通、住宿费）等。 参会报名 联系人周女士 电话&微信: 19074942390，或者扫描二维码报名。

注明：单位+姓名

参会费用

会务赞助 联系人吕先生 电话&微信: 13707495656

协助办理会议、报告赞助、展台赞助、宣传片播放赞助请联系会务赞助联系人吕先生，目前还有少量展台剩余。

项目	享有权益	价格
易拉宝	0.8米*2米会议现场摆放，图片由企业提供	3000
胸牌	胸牌一面展示	12000
手提袋广告	手提袋一面展示	15000
资料入袋	参会代表资料袋中放置赞助单位的宣传资料（纸张大小不超过A4,页数不超过10P）	4000
礼品赞助	赞助方给参会代表提供礼品一份	6000

图片设计由赞助单位提供

四、付款方式

帐户名：长沙康博文化传媒有限公司

帐  号：8002 2811 0102 019

开户行：长沙银行湘江新区支行

开户银行代码：313551080484

支付宝账号：13517408663（邓丽辉）  

五、会议酒店：

会议酒店：  长沙步步高福朋喜来登酒店

酒店地址： 长沙市岳麓区枫林三路1099号福朋喜来登酒店 

协议房价 ： 大/ 双床房 单早500元/晚 双早550元/晚

预订电话： 0731-88049999转酒店客房预订部， 时间9:00-17:30

六、交通指南

会议报到地点为长沙步步高福朋喜来登酒店一楼大堂，位于 长沙市岳麓区枫林三路1099号。酒店距离长沙市黄花机场50公里左右，可以从机场乘坐地铁6号线直达酒店，酒店距离一师范西校区2口500米左右，步行7分钟；酒店距离长沙南站33公里，可以乘坐地铁2号线再转6号线到 一师范西校区 下， 酒店距离一师范西校区2口500米左右，步行7分钟。