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8小时免费VASP课程：吸附、催化、电池、半导体、缺陷、反应过程、扩散路径、电荷分布、能带结构、缺陷占位计算等！

时间：2023-08-20 来源：浏览：

华算科技计算材料学

计算材料学

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功能介绍计算材料学科研论坛，欢迎新手、专家、大师以及业余爱好者。

收录于合集

近年来DFT计算热度陡增，它不仅能够预测材料性质、解释分析实验结果、优化实验方案，还能与机器学习结合，提升论文档次。

VASP 每年发表文章超过1万篇，是被引量最多的DFT计算软件。为了让科研人员尽快上手DFT计算，华算科技推出 《VASP计算实例系列课程》 。

8小时视频干货 ，针对模型搭建、半导体、缺陷、吸附、催化、电池计算等领域，进行实例讲解，带你轻松入门VASP。

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课程内容

【专题1】模型构建：晶体、表面、二维结构、纳米带、纳米管、量子点的计算模型构建方法 （2小时）

构建模型是开展计算和分析数据的前提，模型的合理性比软件参数设置对结果有着更大的影响。

本讲内容将介绍常见晶体、表面、二维结构、纳米带、纳米管、量子点的构建方法，让大家能够将实验研究对象与理论模型建立联系，为后续计算工作打下基础。

【专题2】VASP半导体缺陷计算：电荷分布、能带结构、缺陷占位等 （2小时）

大多数电子产品的核心部件都是半导体材料，从最初的Si到现在的GaN，人们对新型半导体材料的探索从来没有停止过。

VASP擅长研究半导体材料的电荷分布、能带结构、缺陷占位等物理问题，能够为器件性能的优化提高理论指导。

【专题3】VASP吸附与催化计算：吸附位点与构型、与催化剂的相互作用机理 （2小时）

催化剂能够降低化学反应的能垒，提高反应速率，广泛应用工业生产中。

VASP能够计算常见化学反应中反应物、中间体、产物在催化剂表面的吸附位点与构型、与催化剂的相互作用机理，这些微观性质一般很难通过实验手段测量。

【专题4】VASP电池计算：反应过程、离子容量、电压、离子扩散路径与扩散能垒 （2小时）

金属离子（Li、Na、K、Mg离子等）电池由于具有高能量密度，低成本以及环境友好等特点而被人们广泛关注。

VASP能够计算电化学反应过程、离子容量、电压、离子扩散路径与扩散能垒，为电池容量与续航时间的提升提高理论依据。

课程讲师

朱老师，华算科技全职技术专家，同济大学本科直接攻读博士学位，海外3年以上博后经历，发表高质量独立一作SCI论文30篇，回国后被授予深圳市海外高层次人才，拥有13年VASP重度使用经验，成功讲授100场VASP计算培训和超过10万人的DFT计算公开课。

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