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​张铁锐团队Angew:Cu/Zr(OH)4高选择性电还原乙炔为乙烯

时间:2024-04-08 来源: 浏览:

​张铁锐团队Angew:Cu/Zr(OH)4高选择性电还原乙炔为乙烯

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利用铜(Cu)基催化剂的电化学乙炔还原(EAR)是一种环保、经济的乙烯生产和净化方法,但Cu基催化剂会遇到C-C偶联和其他副反应引起的产物选择性问题。
基于此, 中国科学院理化技术研究所张铁锐研究员等人 报道了使用二次金属来修饰Cu基催化剂,并确定了Cd修饰特别有效。在5 vol.%的乙炔气体中,Cd修饰的乙烯法拉第效率(FE)高达98.38%,C-C偶联反应得到良好抑制(在-0.5 V时,丁二烯FE为0.06%)。需注意,在长时间的稳定性试验中,粗乙烯进料的乙烯选择性达到99.99%。
DFT计算解读
通过DFT计算,作者研究了两种模型在Cu表面上H 2 O解离的反应势垒和H*结合的吉布斯自由能(|ΔG H* |)。
Cu(200)/Cd(100)比Cu(200)表现出更强的H 2 O吸附能力,Cd修饰导致H 2 O解离成H*和OH*的势垒从Cu(200)的0.99 eV降低到Cu(200)/Cd(100)的0.58 eV。
缓慢的H*结合动力学,使得Cu-Cd/Zr(OH) 4 催化剂上的HER受到抑制,因此丰富的H*可参与C 2 H 2 的半加氢反应,从而生成更多的C 2 H 4
对于Cu(200)/Cd(100)和Cu(200)两种模型,CH 2 CH 2 *途径均优于CH 3 CH*途径,由于C 2 H 4 解吸的势垒相对较小,CH 2 CH 2 *释放C 2 H 6 的过加氢反应受到较好的抑制。
C 2 H 2 在Cu(200)/Cd(100)上的第一个加氢步骤是EAR中的速率决定步骤,而CH 2 CH*在Cu(200)/Cd(100)上的偶联势垒远高于Cu(200)上的偶联势垒,表明其偶联副反应被明显抑制。
结果表明,Cd修饰不仅优化了Cu的电子结构,促进了Cu表面H 2 O的解理,使得更多的H*参与到C 2 H 2 加氢反应中,而且导致C-C偶联的势垒显著增加,从而抑制了C 4 副产物的形成。
Highly selective acetylene-to-ethylene electroreduction over Cd-decorated Cu catalyst with efficiently inhibited carbon-carbon coupling. Angew. Chem. Int. Ed., 2024 , DOI: https://doi.org/10.1002/anie.202400122.
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