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第三代半导体晶体生长技术与市场研讨会时间、地址和演讲报告征集

时间:2023-09-30 来源: 浏览:

第三代半导体晶体生长技术与市场研讨会时间、地址和演讲报告征集

光伏见闻
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收录于合集

第三代半导体晶体生长技术与市场研讨会

主办单位:长沙市工信局

承办单位:

中国电子科技集团第48研究所

湖南东映碳材料科技股份有限公司

半导体信息

赞助单位:

连科半导体有限公司

北京中光睿华科技有限公司

郑州科创电子有限公司

湖南芯易德科技有限公司

一、会议内容

第三代半导体晶体生长技术与市场交流。

二、时间地点

会议将于 12月7号 在湖南 长沙 举办。

会议注册时间: 12月6号14:00—21:00

技术交流时间: 12月7号9:00—17:00

欢迎晚宴时间: 12月7号 18:00—21:00

三、会议背景

SiC单晶衬底占碳化硅芯片的成本在50%左右 ,SiC单晶的成本之所以这么高,主要是因为 碳化硅单晶的良率低,生长时间长 。在SiC单晶生长环节中,主要存在2个良率差异现象:一是企业之间的良率差异非常大,领先型企业的良率可以高达50%-60%,而一些新进入者的良率水平在0-30%之间;其次是单个企业不同批次的晶体良率存在一定的波动。为了提高第三代半导体晶体生长良率、降低生产成本,长沙市工信局、中国电子科技集团第48研究所、湖南东映碳材料科技股份有限公司、半导体信息共同发起 第三代半导体晶体生长技术与市场研讨会 本次会议报告将聚焦如下焦点: 1、第三代半导体晶体生长技术交流; 2、 第三代半导体晶体生长辅材的技术交流; 3、第三代半导体晶体设备的技术交流;4、第三代半导体晶体检测技术交流;5、第三代半导体切割工艺技术与设备交流;6、第三代半导体外延技术交流等。

第三代半导体晶体生长技术与市场研讨会 将围绕目前碳化硅单晶的热点问题展开,三安光电高博士;泰科天润董事长陈彤总;中国电科48所王理正博士;中电科46所首席科学家王英民先生;清华大学公共安全研究院副院长、清华-波音联合研究中心执行主任张辉教授;山西中电科二所副所长曾晓斌先生; 烁科晶体总经理助理马康夫先生 ;宁波捷芯半导体材料有限公司总经理赵新田;连城数控半导体晶体事业部总经理胡动力博士;哈尔滨科友半导体董事长赵丽丽教授;西安交大陈雪江教授;西安交大李早阳教授;湖南东映碳材料科技股份有限公司伍孝博士;北京中光睿华总经理温猛先生、郑州科创电子等 将出席本次会议并做相应技术交流报告。

目前还有少量报告空缺,我们还 邀请 行业专家做一些关于第三代半导体的晶体生长技术、辅材技术、长晶设备、切割技术、检测技术的交流报告。

欢迎有兴趣做报告或赞助本次会议的企业与光伏见闻吕先生联系,联系方式:13707495656 (微信同号)。

半导体信息编辑部

2023.9.28

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