【华南先进陶瓷论坛议题预告】西安博尔新材料有限公司董事长王晓刚——3C-SiC基因结构研究与应用进展

演讲题目

3C-SiC基因结构研究与应用进展

内容摘要

SiC以其耐高压、耐高温、半导电等特性在高温、高压、高频、大功率半导体器件等领域越来越受到各界青睐。SiC的高热导率和高吸波特性在近年来更是引起了半导体和热管理材料等领域的高度重视。但是H型和R型SiC是由260多种多型体（polytipe）结构组成的结晶变体。由SiC本质结构特征所体现的多型体的大量存在，决定了在现行工艺条件和装备条件下制造的碳化硅晶体只能是多晶碳化硅，不是单晶碳化硅。因此，多型SiC不可避免的存在，是造成碳化硅晶圆衬底良率很低、性能不稳、成本居高不下的根本原因。

本文通过大量模拟和实验研究，表明3C-SiC是众多碳化硅多型体中唯一没有变体的真正意义上的单晶碳化硅。由3C-SiC优异的晶面、晶棱、晶角、面密度和体密度等构成的晶体基因单元的高度一致性和均匀性，使其成为碳化硅中结构最纯净的唯一的高级晶系物质，被誉为是实现高温、高压、高频、大功率半导体器件的首选材料。因此，3C-SiC晶体的制造和应用有望解决目前第三代半导体碳化硅产业良率低下、性能不稳、成本高昂的问题。本报告将介绍上述研究结果以及3C-SiC在晶体生长和导热、吸波以及超精密加工方面的应用效果。

个人简介

王晓刚，教授，博士生导师，毕业于西安交通大学获博士学位。现任陕西省硅镁碳微纳米材料工程技术研究中心主任，陕西省装备制造业协会会长，陕西省有突出贡献专家，陕西省劳动模范，西安市创业英雄，西安市创业杰出人才，西安博尔新材料有限公司等4家企业董事长。

王晓刚教授主要从事材料制备理论与应用方面的研究工作，主持完成了包括国家科技支撑计划、国家自然科学基金、国家重点技术创新项目、国家中小企业创新基金等10余项国家级项目，20余项省级重点科技攻关项目和重点工业性试验等项目，50余项与企业联合的科研项目。开发的3C-SiC新材料分别被陕西省工信厅和国家工信委列为重点新材料。团队研究成果获得省部级科技进步等一、二、三等奖9项、获国家授权发明专利30余项，在国内外核心以上期刊发表论文150余篇，其中被SCI、EI等收录50余篇，出版专著8部。

企业简介

西安博尔新材料有限责任公司是一家专门从事高品质碳化硅（SiC）微粉和晶须及其下游制品等研发、生产、销售的国家级高新技术企业，也是全球首家突破技术壁垒，填补国内外空白，自主发明实现工业化生产立方碳化硅（3C-SiC）微粉和晶须的专业企业。注册资本4771.67万元。目前，公司的主导产品为立方碳化硅微粉及其下游半导体、陶瓷制品等，其系列产品质量达到国际领先水平，在国内市场享有盛名。

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