【DFT+实验】AFM：范德华层状In4/3P2S6中可调谐的各向异性非本征自俘获激子发射
【DFT+实验】AFM：范德华层状In4/3P2S6中可调谐的各向异性非本征自俘获激子发射
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以下文章来源于低维 昂维 ，作者低维 昂维
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成果介绍
自俘获激子(STE)诱导的宽带发射(BE)由于其在白光发射器和光电子领域的潜在应用而引起了人们的广泛关注。这种现象在具有软晶格结构的有机-无机杂化钙钛矿中广泛存在，其物理成因仍有争议。
有鉴于此，近日， 苏州大学游陆教授，方亮教授和雎胜教授（共同通讯作者）等报道了在范德华(vdW)层状In 4/3 P 2 S 6 中具有大斯托克斯位移和高达9.2%光致发光量子产率的强子带隙STE发射 。结合全面的光学表征和理论计算，本文得出结论，缺陷辅助的非本征STE是造成BE的原因。激子态可以通过静水压力进一步局域化，从而导致三倍的PL强度增强。此外，角分辨的偏振拉曼在IPS中表现出各向异性晶格动力学，这可能是STE发射高度线性各向异性的基础。本工作阐明了vdW晶体的缺陷、STE和各向异性耦合效应，为STE发光调制提供了创新的途径。
图文导读
图1. IPS晶体的结构和光学特性。
图2. IPS中缺陷辅助的非本征STE发射的证据。
图3. PL量子产率与STE调制。
图4. IPS的各向异性拉曼散射。
图5. IPS中各向异性与STE发射的耦合。
文献信息
Tunable Anisotropic Extrinsic Self-Trapped Exciton Emission in Van Der Waals Layered In 4/3 P 2 S 6
（ Adv. Funct. Mater. , 2023, DOI:10.1002/adfm.202312143）
文献链接：
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.202312143