【钠电】AEM:通过提高嵌入氧化还原赝电容实现极速充电
【钠电】AEM:通过提高嵌入氧化还原赝电容实现极速充电
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具有高理论容量的合金型金属是用于钠离子电池的有前途的阳极材料,但是具有大的体积膨胀和缓慢的反应动力学。利用界面阴离子共价键将合金化金属分散到缓冲基体中是解决上述问题的有效方法。
上海硅酸盐研究所Fuqiang Huang和上海交通大学Tianquan Lin等 通过将高容量锑金属纳入快速充电应用的刚性Cr-Se框架中而设计了双功能结构单元。
本文要点:
(1) 高容量和高速率的钠存储可以在双功能Sb-Cr-Se系统中协同实现,其中刚性的Cr-Se框架赋予SbCrSe 3 阳极优异的结构稳定性和改善的嵌入氧化还原赝电容。此外,放电过程中Sb的体积膨胀可以被Cr-Se链状基体所缓冲。新型SbCrSe 3 阳极在0.4C的电流密度下提供472 mAh g -1 的高充电容量,并在60C下保持约100%的容量超过10 000次循环。进一步的原位和非原位表征揭示了多步反应机理,以及充(放)电过程中可逆Sb-Se键的断裂和形成。
(2) 所提出的结合合金型阳极和插入型阳极的双功能结构单元有望为高容量、高倍率阳极材料的发展铺平道路。
参考文献:
Peng, B., Xu, S., Lv, Z., Zhang, S., Gao, Y., Lin, T., Huang, F., Toward Extremely Fast Charging through Boosting Intercalative Redox Pseudocapacitance: A SbCrSe3 Anode for Large and Fast Sodium Storage. Adv. Energy Mater. 2022, 2203187.
DOI: 10.1002/aenm.202203187
https://doi.org/10.1002/aenm.202203187
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