光电极进行
NAD+
转化为
NADH
辅酶是使用太阳能用于活化氧化还原生物催化剂和酶催化合成的方法。但是许多光电极面临着非常低的光电压，导致需要较高的偏压用于制备
NADH
。
有鉴于此，
加州大学伯克利分校杨培东等
报道一种较高光电压（
435 mV
）的
n
+
p Si
纳米线（
n
+
p-SiNW
）光电极用于光催化制备
NADH
。
本文要点
要点1.
光电极的
n
+
p
界面具有增强的能带弯折，因此实现非常高的光电压，因此在光电催化制备
NADH
的反应中表现较好的起始电势（
0.393 V
RHE
）。
要点2.
在过电势为
0.2 V
RHE
时，
n
+
p-SiNW
光电极的法拉第效率达到
84.7 %
，产率达到
1.63 μmol h
-1
cm
-1
，
法拉第效率和产率分别达到相同过电势条件
p-SiNW
光催化的
12.1
倍和
1.86
倍
，性能是目前各种
SiNW
敏化制备辅酶达到最大产量所需过电势最低的材料。
Elizabeth Lineberry, Jinhyun Kim, Jimin Kim, Inwhan Roh, Jia-An Lin, and Peidong Yang*, High-Photovoltage Silicon Nanowire for Biological Cofactor Production, J. Am. Chem. Soc. 2023
DOI: 10.1021/jacs.3c06243
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.3c06243
原位XPS、原位XRD、原位Raman、原位FTIR
