【材料】AM：恢复Si引起的氧交换速率和面积比电阻的衰减

金属氧化物是一类重要的功能材料，从固体氧化物燃料/电解电池、透氧膜和储氧材料到气体传感器(半导体和电解)和催化剂等许多应用，表面与气相中的氧之间的相互作用是核心。普遍存在的硅杂质阻碍了这种相互作用，通常归因于表面形成玻璃阻挡层。

近日， 麻省理工学院Harry L. Tuller 用电导弛豫法测量了混合离子电子导体Pr _0.1 Ce _0.9 O _{2- δ} （PCO）的表面氧交换系数（ k _chem ），并用电化学阻抗法测量了它的面积比电阻（ASR）。

文章要点

1 ） 研究发现，即使是渗透引入的低二氧化硅水平，也会使 k _chem 降低4000倍，而ASR增加40倍，并将其归因于相对于PCO的酸性。

2 ） 研究人员进一步展示了通过随后添加碱性钙或锂离子来完全再生有毒表面的能力。这种能力不仅通过调节氧化物表面的相对表面酸度来恢复受硅污染的表面，而且随后表现出优于预先中毒的反应，有望延长以催化氧/固相界面反应为中心的材料和设备的使用寿命。

参考文献

Han Gil Seo, et al, Tuning surface acidity of mixed conducting electrodes: Recovery of Si-induced degradation of oxygen exchange rate and area specific resistance, Adv. Mater., 2022

DOI: 10.1002/adma.202208182

https://doi.org/10.1002/adma.202208182