质子能量歧离的Geant4模拟

为了解析能量歧离与入射质子能量、靶材料及厚度的关系,利用Geant4程序模拟100 keV～2 MeV质子垂直入射Be、C、H2O、Al、Cu薄膜的方法.结果给出能量歧离与薄膜厚度、薄膜材料及入射质子能量的关系.得出能量歧离主要发生在入射质子100 ～200 keV能量范围内,且薄膜厚度越大,靶材料面电子密度越大,能量歧离越大；入射质子能量越大,能量歧离越小的结论.