氧气等离子体处理对AlGaN肖特基接触的影响

论文简介

研究了不同的干法刻蚀以及氧气等离子体处理条件对 AlGaN表面特性的影响.在合适的条件下,氧气等离子体处理可以使 AlGaN表面发生氧化, 并使肖特基接触的反向漏电流降低两个数量级,反向击穿电压也有显著提高.该方法简单易行,可应用于制备高性能的 AlGaN/GaN HEMT 器件.

论文截图

版权：如无特殊注明，文章转载自网络，侵权请联系cnmhg168#163.com删除！文件均为网友上传，仅供研究和学习使用，务必24小时内删除。