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半导体ZnO晶体生长及其性能研究进展

期刊名字：材料导报
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论文作者：巩锋，臧竞存，杨敏飞
作者单位：北京工业大学材料科学与工程学院
更新时间：2023-03-24
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论文简介

ZnO晶体是直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV.其禁带宽度对应紫外光的波长,有望开发蓝绿光、蓝光、紫外光等多种发光器件.对ZnO晶体的生长方法及研究进展做了简要的叙述.

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