基于霍尔效应的半导体外延片电参数测试 基于霍尔效应的半导体外延片电参数测试

基于霍尔效应的半导体外延片电参数测试

  • 期刊名字:传感器技术
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  • 论文作者:孙慧卿,范广涵
  • 作者单位:华南师范大学
  • 更新时间:2023-03-25
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论文简介

介绍半导体外延片霍尔效应测试的理论和方法,利用霍尔效应测试可以更好地研究半导体材料电学性能,在外延片的研制过程中测试外延层的载流子浓度,利用范德堡法测试电阻率以及载流子迁移率等参数.

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