半导体硅熔体电导率的间接测量 半导体硅熔体电导率的间接测量

半导体硅熔体电导率的间接测量

  • 期刊名字:人工晶体学报
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  • 论文作者:徐岳生,刘彩池,王海云,张雯,石义情
  • 作者单位:河北工业大学信息功能材料研究所
  • 更新时间:2023-03-24
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论文简介

本文通过在磁场下测定硅熔体的粘度,根据ηeff=(μBb)2σ关系式,间接计算出硅熔体的电导率.其结果与用其他方法测试的数值吻合.用电子导电、离子导电的变化,解释了硅熔体在1420~1690℃范围电导率的变化,研究结果对指导大直径硅单晶生长具有实际意义.

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