半导体断路开关(SOS)特性研究

论文简介

本文描述了半导体断路开关(SOS)的制作及性能测试.制作方法采用普通二极管类似的扩散工艺,但其制作工艺的关键在于深结的扩散.在pn结足够深时才能产生SOS效应.描述了制作过程并采用脉冲电路测试了所研制的SOS器件的电学性能.测试结果表明所研制的样品性能达到了与国外水平.

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