重频应用下等离子体电光开关热退偏损耗分析 重频应用下等离子体电光开关热退偏损耗分析

重频应用下等离子体电光开关热退偏损耗分析

  • 期刊名字:强激光与粒子束
  • 文件大小:
  • 论文作者:张君,张雄军,魏晓峰,吴登生,田晓琳,曹丁象,董军
  • 作者单位:中国工程物理研究院
  • 更新时间:2022-10-17
  • 下载次数:
论文简介

基于有限元数值方法,给出电光晶体KDP在高平均功率激光负载下温度场分布和应力场分布.在此基础上得到了折射率随温度变化、电光系数随温度变化、及应力双折射引入的退偏损耗.数值模拟显示:电光系数随温度变化和应力双折射是引起开关退偏损耗的主要因素.当入射激光平均功率为40 W、辐照时间为420 s时,KDP晶体最高温度为38.43 ℃,电光系数随温度变化及应力双折射引入的最大退偏损耗分别为2.38%和4.04%.实验测量了应力双折射导致的退偏损耗,实验结果和理论结果符合较好.

论文截图
版权:如无特殊注明,文章转载自网络,侵权请联系cnmhg168#163.com删除!文件均为网友上传,仅供研究和学习使用,务必24小时内删除。