SiGe PMOSFET性能模拟

由于受热力学基本定律的限制,Si集成电路技术的发展已经日益接近极限,而SiGe材料的引入使得占据小于1 GHz频段的Si产品可以进一步覆盖2～30 GHz的RF和无线通信市场.根据前人的材料研究工作,在普通Si器件性能模拟的基础上,进一步研究长沟应变SiGe器件的模拟,引入了插值所得的近似因子以修正silvaco中隐含的SiGe能带模型和迁移率参数.然后依据修正后的模型对SiGe PMOS进行更为精确的二维模拟.