VDMOS管器件模拟研究 VDMOS管器件模拟研究

VDMOS管器件模拟研究

  • 期刊名字:微电子学
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  • 论文作者:程松,李润新,刘伯学
  • 作者单位:北京防化研究院
  • 更新时间:2022-12-10
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论文简介

在衡量半导体器件是否符合设计要求时,技术指标首先指器件直流电学性能,包括输出特性曲线和转移特性曲线,以及相应的电学参数.文章在介绍工艺与器件模拟方法的基础上,针对不同的工艺参数、结构和材料特性,开展器件模拟,分析与研究器件的电学特性.通过模拟研究,确认影响电学性能的主要因素,为研制VDMOS样管提供理论指导.

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