半导体异质结中的实空间转移 半导体异质结中的实空间转移

半导体异质结中的实空间转移

  • 期刊名字:固体电子学研究与进展
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  • 论文作者:靳川,陈建新,陈振强
  • 作者单位:暨南大学光电工程研究所,中国科学院上海技术物理研究所
  • 更新时间:2023-03-24
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论文简介

实空间转移的机理不同于k空间转移,因而受到了广泛关注.实空间转移效应的器件是一种新型的半导体器件,有众多其它器件达不到的优点,如响应时间可达到ps级别、可以实现负阻效应等.为深入的理解半导体异质结中的实空间转移对实空间转移效应的基本原理以及它在相应器件上的应用进行了研究,概述了国际上的相关研究方向和研究进展,并提出研究思路和技术方案.

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