氧等离子体对GaN HEMT器件的影响

研究了不同条件下氧等离子体对GaN器件表面的影响。在合适的条件下，氧等离子体可以使AlGaN表面发生氧化，形成Al2O3薄氧化膜，提高肖特基势垒，从而降低GaN器件的阈值电压，提高器件导通电流。该结果可望用于更高性能AlGaN/GaN HEMT器件制备的应用中。