半导体Ge的能带计算 半导体Ge的能带计算

半导体Ge的能带计算

  • 期刊名字:湖南工程学院学报(自然科学版)
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  • 论文作者:刘建军
  • 作者单位:辽宁铁道职业技术学院
  • 更新时间:2023-03-23
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论文简介

用紧束缚[1]方法计算了Ge晶体能带Ge的点能量.计算结果与Chadi[2]的实验值及吻合较好,与K·C Pondoy[3]的计算值比较接近,比Cohen and TR·Bergstresser[4]的计算值精确.

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