基于高温扩散的AlGaAs靶制备

基于高温扩散理论,研究了不同温度下Al在GaAs中的扩散情况.利用扫描电子显微镜(SEM)对Al在GaAs中的浓度分布和Al与GaAs的界面进行了表征.结果表明:当扩散温度较低时(650℃),Al在GaAs中扩散较快,可获得较佳的扩散结果.当温度升高后(800℃),GaAs中的As挥发增强,其在Al和GaAs界面处富集,阻碍了Al向GaAs中的扩散.最后根据实验结果,利用Fick定律计算了在650℃下AlGaAs靶的制备时间.