恒流作用下V型半导体桥电热特性研究 恒流作用下V型半导体桥电热特性研究

恒流作用下V型半导体桥电热特性研究

  • 期刊名字:煤矿爆破
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  • 论文作者:胡剑书,焦清介
  • 作者单位:北京理工大学爆炸科学与技术国家重点实验室
  • 更新时间:2023-03-26
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论文简介

文章介绍了半导体桥(SCB)发火器件的工作机理.通过对恒流作用下V型半导体桥的电热特性建立数学模型,得出了SCB的夹角越小,发火电流越大,则发火时间越快的关系.但是,由于夹角受到半导体桥临界能量的影响,存在一个最小值,也是V型角的最佳角度.作者同时给出了一个计算升温时间的公式.

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