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化学腐蚀对硅片力学性能的影响

期刊名字：黄石理工学院学报
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论文作者：齐海兵，胡蔷
作者单位：黄石理工学院电气与电子信息工程学院
更新时间：2022-11-19
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论文简介

分析了电子工业对半导体硅材料的新要求.通过对不同表面状态的硅片力学性能的测试,得出化学腐蚀在改善硅片力学性能方面具有重要作用,适当的化学腐蚀工艺可以大幅减少硅片制备过程中的不良率.

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硅片力学性能化学腐蚀