粉粒在等离子体中纯化的理论与工艺参数

针对反应室的情况,建立了硅粉的运动学模型和粉粒收集判据.应用该模型和判据,选择进气流速为5～20cm3/min(标准状态下),抽气比例为0.1.由于等离子区内只存在表面反应,钝化作用会使纯化效应消失.在鞘层内存在大量高能离子,除表面反应外,离子还能对粉粒表面进行刻蚀,因此钝化效应将消失.按此新的纯化概念,鞘层应尽量增厚.基于鞘尽模型考虑,在适中的压力、电流密度和直流自偏压下,选定鞘层厚度为1.5cm.刻蚀提纯的实验结果表明,硅的纯度可由99.00%.提高到99.97%.