半导体瞬态问题的修正迎风有限体积格式

半导体器件的瞬时状态由包含三个拟线性偏微分方程所组成的方程组的初边值问题来描述.其中电子位势方程足椭圆型的,电子和空穴浓度方程是对流扩散型的.对电子位势方程采用一次元有限体积法米逼近,对电子浓度和空穴浓度方程采用修正的迎风有限体积方法来逼近,并进行详细的理论分析,关于位势得到O(h+Δt)阶的H1模误差估计结果,关于浓度得到O(h2+Δt)阶的L2模误差估计结果.最后,给出数值例子.