半导体生产用剧毒气体解毒技术的研究
- 期刊名字:低温与特气
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- 论文作者:孙福楠,吴江红,柳蔚,李英辉,于大秋,冯庆祥
- 作者单位:光明化工研究设计院
- 更新时间:2023-03-25
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论文简介
在半导体制造过程中,需要使用大量有毒性气体,如SiH4、B2H6 、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等.这些气体易燃、易爆、有毒,对人身及环境有危害性,为了确保IC等新型半导体材料产业顺利发展,开展气体解毒研究意义重大.传统上采用酸、碱、氧化剂的湿法工艺,存在许多弊病,近年来,剧毒气体干法解毒技术发展迅猛.本文介绍了该技术的原理,希望国产解毒装置能适应IC发展需求.
论文截图
上一条:合成半导体胶体纳米晶的新方法
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