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BRAQWET能带结构和优化设计参量

期刊名字：固体电子学研究与进展
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论文作者：史常忻
作者单位：上海交通大学微电子技术研究所,德国亚琛工业大学半导体电子学所
更新时间：2022-12-18
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论文简介

对n型源区、p型势垒区和具有δ(p+)薄层势垒区的两种结构BRAQWET的能带模型,作了严格的定量分析,由此可以导出设计良好器件的优化参量.这是设计BRAQWET的理论基础.

论文截图

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BRAQWET 化合物半导体光调制器电光调制