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SOI SRAM测试研究

期刊名字：微计算机信息
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论文作者：赵琳娜，王春早，宿吉伟，陶建中
作者单位：江苏无锡,广东深圳
更新时间：2023-01-26
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论文简介

SOI(绝缘体上硅)静态存储器与用传统体硅技术制备的SRAM有着不同的特性,在测试SOI SRAM时需要考虑其特有的故障模型.基于读写过程中影响比较显著的浮体效应和寄生双极管效应的讨论,分析了部分耗尽SOI SRAM的设计和测试考虑,并提出了相应的测试码.

论文截图

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绝缘体上硅(SOI)部分耗尽(PD)静态存储器故障模型测试码