环境半导体材料Ca2Si的电子结构研究 环境半导体材料Ca2Si的电子结构研究

环境半导体材料Ca2Si的电子结构研究

  • 期刊名字:海南师范大学学报
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  • 论文作者:肖清泉,谢泉,杨吟野,张晋敏,赵凤娟,杨创华
  • 作者单位:贵州大学电子科学与信息技术学院
  • 更新时间:2023-03-25
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论文简介

运用Materials Studio软件对半导体材料Ca2Si的电子结构进行了计算,结果表明,Ca2Si材料为直接带隙类型材料,计算值比实验测量值小.Ca2Si的价带由Ca的4s、4p、3d态和Si的3p态构成;Ca2Si的导带主要是由钙的3d、4s、4p态构成,硅的3s、3p对导带的贡献相对要小得多.

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