VDMOSFET的终端优化设计 VDMOSFET的终端优化设计

VDMOSFET的终端优化设计

  • 期刊名字:辽宁大学学报(自然科学版)
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  • 论文作者:孙嘉兴,杨颖,林爽
  • 作者单位:辽宁大学
  • 更新时间:2022-12-17
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论文简介

主要介绍了VDMOSFET的终端优化设计,讨论了已有终端结构中的场环、场板技术,工作原理.以一种新型的高频VDMOSFET与模拟栅相结合的结构为例,详细讨论了场板在减少反馈电容、提高器件的击穿电压、降低导通电组、改善跨导、提高输出电阻、改进安全工作区方面的理论机制及作用.

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