掺杂对BNCP半导体激光起爆感度的影响 掺杂对BNCP半导体激光起爆感度的影响

掺杂对BNCP半导体激光起爆感度的影响

  • 期刊名字:含能材料
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  • 论文作者:陈利魁,盛涤伦,杨斌,朱雅红,王燕兰
  • 作者单位:中国兵器工业第213研究所
  • 更新时间:2023-03-25
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论文简介

对激光敏感药剂高氯酸·四氨·双(5-硝基四唑)合钴(Ⅲ)(BNCP)进行掺杂,以半导体激光直接作用药剂的方法,研究了掺杂物的种类、含量和波长对BNCP激光起爆感度影响.结果表明: 在同样的条件下,未掺杂的BNCP在激光器最大功率下都不能发火,而加入适合的掺杂物的种类和含量能够大大提高BNCP半导体激光起爆感度;在635 nm波长下,掺杂物中掺杂酞箐铜能量最低,50%发火阈值达0.24 mJ,平均延期时间2.3 ms;掺杂吸光物C,50%发火阈值达0.57 mJ,平均延期时间5.5 ms;在915 nm波长下,掺杂吸光物C含量为5%时,50%发火阈值最小,为5.06 mJ.

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