P型半导体金刚石膜的磁阻

研究了p－型异质外延和同质外延金刚石膜的在不同温度和磁场下的磁阻，磁阻器件的结 构为条形和圆盘形。实验结果表明磁阻强烈依赖于磁场、温度和样品的几何形状，圆盘结构的磁 阻大于条形结构，条形结构的磁阻还取决于不同的长－宽比。利用F－S薄膜理论,计算磁场为 5T时条形和圆盘结构的磁阻分别为0.38和0.74，讨论了霍耳效应对磁阻的影响，给出了形状 效应的可能机制。