对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究

期刊名字：半导体学报
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论文作者：陆敏，常昕，方慧智，杨志坚，杨华，黎子兰，任谦，张国义，章蓓
作者单位：北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院凝聚态物理和材料物理研究所,北京大学医学部生物物理系电镜中心
更新时间：2022-11-19
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论文简介

用Thomas Swan公司的MOCVD系统在蓝宝石(0001)面上生长了高质量的GaN薄膜.采用多种化学腐蚀方法,如熔融KOH,H3PO4与H2SO4混合酸和HCl气相腐蚀法,利用SEM及TEM技术对GaN薄膜中的位错进行了研究.SEM显示在GaN薄膜相同位置处,不同腐蚀法所得的腐蚀坑的形态和密度有明显差别.结果表明HCl气相腐蚀可以显示纯螺位错、纯刃位错和混合位错;H3PO4与H2SO4混合酸腐蚀可以显示纯螺位错和混合位错;而熔融KOH腐蚀仅能显示纯螺位错.

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