JB/T 5531-2007 静电复印硒鼓 光电性能测量方法

ICS 37.100.01G 81备案号: 21873- -2007JB中华人民共和国机械行业标准JB/T 5531- -2007代替JB/T 5531- -1991静电复印硒鼓光电性能测量方法Selenium drum for electrostatic copying一Measuring method of photoelectric performance2007-10-08发布2008-03-01实施中华人民共和国国家发展和改革委员会发布JB/T 5531- -2007目次方法原理测试装置5测试条件 ......2硒鼓转速设定.....5.3充电 电流的设定.5.4曝光条件的设定 .5.5 消电条件的设定 .......0.1 方法A的测试步骤.6.2方法B的测试步骤....测试报告........图1测试装置示意图 .........图2电流校 正规示意图.图4测试DDR的时序示意图.......图5测试U,的时序示意图.图6测试Up的时序示意图....图7测试光电疲劳性能的时序示意图JB/T 5531- -2007前本标准代替JB/T 5531- -1991《静电复印硒鼓光电性能测 量方法》。本标准与JB/T5531-1991相比，主要变化如下:-增 加标准的英文名称;-增加前言; .将第1章“主题内容与适用范围”改为“范围”;将第2章“术语符号”改为“术语和定义”，并增加术语的英文名称;根据GB/T 1.1- -2000对标准的结构和格式进行了编辑和调整; .删除附加说明。本标准由中国机械工业联合会提出。本标准由全国复印机械标准化委员会(SACTC 147)归口。本标准起草单位:天津复印技术研究所。本标准主要起草人:赵晓东、唐云山、赵桂华。本标准所代替标准的历次版本发布情况:JB/T 5531-- 1991。mJB/T 5531- -2007静电复印硒鼓光电性能测量方法1范围本标准规定了测量静电复印硒鼓光电性能的两种方法(方法A和方法B),内容包括方法原理、测试装置、测试条件、测试步骤和测试报告。本标准适用于硒及硒合金类型静电复印硒鼓。2术语和定义下列术语和定义适用于本标准。2.1初始电位(U) initial potential硒鼓在暗处及设定的充电条件下充电后表面所带的电位，单位V。2.2暗衰减率(DDR) dark decay rate硒鼓在暗处及设定的表面电位下，表面电位的衰减速率，单位VIs。2.3感度sensitivity2.3.1半衰(减)曝光量(Hso) half decay exposure硒鼓表面电位由800V衰减到400V所需的曝光量，单位1x●So2.3.2半色调电位U，half tone potential硒鼓在800V的表面电位下，经设定的半色调曝光量曝光后，表面所带的电位，单位V。2.4半色调曝光量half tone exposure是测量半色调电位U,时设定的曝光量，它将使曝光后的硒鼓表面电位约为400V，其值大小随硒鼓种类而异，单位1x ●so .2.5残余电位U，residual potential硒鼓在800V的表面电位下，经设定的白底曝光量曝光后，表面所带的电位，单位V。2.6白底曝光量whole exposure是测量硒鼓残余电位U。时设定的曝光量，其值的大小随硒鼓的种类而异，单位lx .s。2.7光电疲劳photoelectric fatigue在重复充电、曝光、消电的情况下，硒鼓光电性能的劣化现象。常用反映光电疲劳现象的初始电位变化量OUo和残余电位变化量OUp来表示光电疲劳性能。3方法原理JB/T 5531- 2007模拟静电复印机的充电，曝光，消电过程，通过测量硒鼓表面电位在此过程中的变化，求出初始电位、暗衰减率、感度、残余电位及光电疲劳等项光电性能参数。4测试装置测试装置的结构示意图如图1所示，主要由下列四部分组成:(1)电位测量部分。使用表面电位计，量程为0~ 2000V， 精度不低于1%。(2)曝光用光源部分。使用色温2859K土50K标准灯，到达硒鼓表面的照度可通过中性滤光片和光圈来进行调整。(3)机械传动及电气控制部分。(4)数据处理及记录，打印输出部分。。DC+4.0kV~65kV109; /81一-充电器: DC4.0kV~6.5kV可调; 2- -曝光灯: 色温2859K士50K; 3--扩 散片:使到硒鼓表面照度分布均匀;4---.光圈:用于调节到达鼓面照度; 5-- 中性滤光片:用于调节到达鼓面的照度; 6、 7一表面电位计探头及本体:8、9-一输出信号记录仪及数字打印机; 10- -消电装置: 11-- 硒鼓。图1测试装置示意图5测试条件.5.1测试环境条件温度19C ~25°C，相对湿度50%~ 70%。检测前硒鼓应在此条件下于暗处放置12h以上。5.2硒鼓转速设定根据不同的测量方法，将硒鼓转速调整到设定值，转速偏差≤1%。5.3充电电流的设定用直径与被测硒鼓直径相同的校正规(见图2)通过调节充电器的充电电压或距校正规表面距离，将充电电流l调整到设定值，电流偏差≤1%。注:充电电流I是指充电时流经校正规单位长度上的电流，单位为uA/cm.5.4曝光条件的设定根据不同的测量方法和测试项目，通过调节中性滤光片和光圈,将到达硒鼓表面的照度调整到设定值，照度偏差≤1%。5.5 消电条件的设定根据被测硒鼓的种类，设定最佳消电条件。2JB/T 5531- -2007。DC+40kV~6.SkV「-金属铝环. 绝缘环图2电流校正规示意图6测试步骤6.1方法A的测试步骤6.1.1将测试装置的硒鼓转速调整到与其配套复印机相同的转速。6.1.2初始电位U%的测试:6.1.2.1将 充电电流调整到企标规定值。6.1.2.2按图3的时序示意图， 测出Uo。_800V彭表面电位Uk时间转动充电曝光消电图3测试Uo的时序示意图6.1.3暗衰减率 (DDR)的测试:6.1.3.1调节充电电流, 使充电后硒鼓表面的电位为1000V土50V或企标规定值。6.1.3.2按图4的时序示意图， 测出U，和暗衰10s后的U2。6.1.3.3暗衰减率按式(1)计算:DDR=U,-U2(1)0DDR一-暗衰减率， 单位为V/s: .3JB/T 5531- -2007U;一暗衰前的硒鼓表面电位， 单位为V;U2一暗衰 10s后的硒鼓表面电位，单位为V。电10时间转动充电曝光。消电图4测试DDR的时序示意图6.1.4半色调电位U,的测试:6.1.4.1按企标规定的 半色调曝光量调整硒鼓表面的照度。6.1.4.2选取充电电流值4， 使充电后硒鼓表面电位Uo高于800V，曝光后的表面电位为Um;选取充电电流值2,使充电后硒鼓表面电位Uo2低于800V，曝光后的表面电位为U2。6.1.4.3按图5的时序示 意图进行测试。码800V鼓. Uhe充电-曝光-消电-图5测试 U。的时序示意图4JB/T 5531- -20076.1.4.4半色调电位按式 (2)计算:u,=Umr- (U01-800) Un-Um.... (2)Uol -U2式中:U,--半色调电位，单位为V;Uo1- - 充电电流为I时，充电后的硒鼓表面电位，单位为V;Un一-硒鼓表面电位为Uo时，曝光后的表面电位，单位为V;Uo2-充电电流为I2时， 充电后的硒鼓表面电位，单位为V;Un--硒鼓 表面电位为Uo2时，曝光后的表面电位，单位为V。.1.5 残余电位Uk的测试:6.1.5.1按企标规定的 白底曝光量调整硒鼓表面电位的照度。6.1.5.2调节 充电电流，使充电后硒鼓表面的电位为800V土10V。6.1.5.3按图6的时 序示意图测出UR。6.1.6 光电疲劳性能的测试:6.1.6.1将硒鼓表 面照度及充电电流调整到企标规定值。6.1.6.2按图7的时序示意图进行测试， 测出第一个周期的初始电位U:和残余电位URo1及经50个疲劳周期后的初始电位Uoso和U