ZnO基稀磁半导体材料研究进展 ZnO基稀磁半导体材料研究进展

ZnO基稀磁半导体材料研究进展

  • 期刊名字:材料导报
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  • 论文作者:周勋,沈益斌,段满益,徐明,令狐荣锋
  • 作者单位:贵州大学电信学院,贵州师范大学理学院,四川师范大学物理与电子工程学院&固体物理研究所
  • 更新时间:2023-03-25
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论文简介

随着铁磁性半导体(如Mn掺杂InAs和GaAs)的发现,稀磁半导体(DMS)近来吸引了众多研究者的目光.传统半导体不具有磁性,而稀磁半导体可以在不改变传统半导体其它性质的情况下引入磁性,具有良好的物理化学性能.从实验和理论计算两个方面总结了ZnO基DMS的国内外研究现状,讨论了各种生长方法、基底选择、生长温度对材料磁性的影响,总结了如何通过改变实验条件来增大饱和磁化强度及提高Curie温度.

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