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以磁控溅射+自组装反应方式制备GaN薄膜

期刊名字：稀有金属材料与工程
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论文作者：薛成山，董志华，庄惠照，王书运，高海永，田德恒，吴玉新
作者单位：山东师范大学
更新时间：2022-04-06
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论文简介

为了用简单的方法得到GaN薄膜,以射频磁控溅射方法将Ga2O3薄膜沉积到Si(111)衬底上的SiC中间层上,通过其同NH3的自组装反应形成了GaN薄膜.同样,利用磁控溅射方法把SiC层沉积到Si衬底.其目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配造成的应力.为了比较中间层的作用,对按照两种方案(使用中间层和不使用中间层)实验样品进行了测试和比较.实验结果证实了SiC中间层提高了GaN薄膜的质量.

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射频磁控溅射自组装中间层 SiC