多晶氧化物半导体中晶界对电导的影响

论文简介

主要讨论NTC多晶氧化物半导体中晶界对电导的影响.研究表明,NTC多晶氧化物半导体的电导是由晶粒中载流子的热激发并穿过晶界势垒形成的,电导同时受晶粒和晶界的控制;材料的电阻–温度特性不是严格的指数曲线;材料常数与温度有关.因此,研究晶界的行为,对制备高性能NTC材料具有重要意义.

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