本篇在3D瞬态场中，看看磁芯中柱加上气隙后，对绕组损耗的影响。模型及绕组方案与part1~part3中完全一样，仅在磁芯中柱中间位置加一段0.4mm的气隙。
与part3结果对比，增加气隙后绕组损耗明显增大，最内层铜箔距离磁芯中柱是2mm，气隙长度0.4mm，即使绕组距离气隙5倍的气隙长度，气隙处扩散磁通对绕组损耗的增加仍然明显。
各方案副边并联各层中电流均流情况
方案1
方案2
方案3
方案4，最均流的绕组结构，在磁芯加了气隙后，均流情况明显变差，最内层铜箔电流有明显相位超前其他3层，但电流幅值与其他3层差异不大。
方案5
方案6
方案4在5us、5.76us、6us时刻，模型中心，右侧窗口截面各层铜箔电流密度分布如下，最内层电流明显大于其他层
作为对比，方案5的同等条件下截面电流密度分布如下
方案4的截面磁场强度矢量分布，气隙只有0.4mm，中柱气隙附近磁场强度矢量已经有轻微的不平行铜箔了
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方案5，
截面磁场强度
矢量分布，磁场强度矢量与方案4有更大的差异
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