(纯计算)香港城市大学曾志远团队J. Mater. Chem. A: 选择性CO2RR的六方二维平面电催化剂
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将二氧化 碳(CO 2 )高效 电化学转化为有益的燃料和原料,是促进碳中和和满足日益增长的能源需求的 经济上有利可图的 战略基础。然而,寻找能够表现出与商业贵金属催化剂相当的催化活性的替代催化剂仍然是 CO 2 还原反应( CO 2 RR)的巨大挑战。具有高比表面积和厚度可调性的二维材料在 CO 2 RR中显示出巨大的潜力。
在此研究中,作者通过表面Pourbaix分析对二维单层材料( AlN 、 GaN 、 InN 、 SiC 、 GeC 和 SnC )进行了计算筛选,确定了在操作条件下具有可用位点的五种材料。通过深入研究了这些表面的催化活性,发现它们 对桥位吸附的OCHO*中间体具有很强的亲和力 ,因为两个O*表面键具有 明显 负的ICOHP值。相反, 这些表面通常较弱地结合*COOH和H* ,这种吸附强度的差异在抑制不希望的析氢反应(HER)方面非常有效,同时使 CO 2 RR更容易遵循OCHO*路径。 AlN和SiC是生产甲酸(HCOOH)的有前途催化剂,具有较低的决速步反应自由能(ΔG MAX : 0.48和0.47 eV) 。此外, 单层SiC也有利于CH 4 的生成,其 ΔG MAX 为0.41 eV ,且单层SiC的性能高于多层SiC。这项研究为 高效 设计和筛选高活性、 高产物选择性 的二维催化剂提供了新的理论基础。
图6 (a-d) 二维材料上 ΔG HCOOH* vs. Δ G OCHO* 、ΔG CO* vs. ΔG COOH* 、ΔG OCHO* vs. ΔG COOH* 、ΔG OCHO* vs. ΔG H* 的线性关系;(e-f) 二维材料上CO 2 -CO (ΔG(CO ) MAX )和C O 2 -HCOOH (ΔG(HCOOH) MAX )的最大自由能变化随 ΔG COOH* 和 ΔG OCHO* 的变化
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