瑞士保罗谢勒研究所Nat. Commun.: 双层kagome材料ScV6Sn6中的隐藏磁性

电荷序kagome晶格已被证明是研究拓扑、关联和磁性相互交织的有趣平台。R V ₆ Sn ₆ （R = Sc、Y或稀土）是一个较新的kagome金属家族，其具有与 AV ₃ Sb ₅ （A = K、Rb和Cs） 化合物相似的钒结构基序。然而，在R V ₆ Sn ₆ 系列化合物中， 只有Sc V ₆ Sn ₆ 化合物在T*≃90 K以下具有电荷 序 。然而，即使在静水压力抑制电荷 序 之后， Sc V ₆ Sn ₆ 也没有显示出超导性。关于 Sc V ₆ Sn ₆ 中的 电荷序 ，最令人头疼的问题之一是它是否破坏了时间反演对称性。此外，最近发现的电荷序kagome 材料Sc V ₆ Sn ₆ 中不 具有磁性基态或激发，因此它通常被 认为是 常规的顺磁体。

在此研究中，使用先进的μ子自旋旋转光谱，作者发现了 电荷序 中一个意想不到的隐藏磁性。研究观察到μ子系综感测到的内部场宽度的增强，这发生在电荷序态内。更重要的是， 通过施加外部磁场，在电荷序温度以下的μ子自旋弛豫速率显著增强 。结合在AV ₃ Sb ₅ 和FeGe kagome体系中发现的隐藏磁性，这项研究结果表明 电荷序kagome晶格中存在普遍的时间反演对称性破缺 。这些结果表明，在kagome体系 Sc V ₆ Sn ₆ 中，复杂的电子响应与电荷序紧密交织，并为电荷序中涉及的微观机制提供了有用的见解。

图4 外加磁场增强电荷序的磁响应

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