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Angew:BiVO4光阳极的关键限制因素及其宏量制备

时间:2023-07-19 来源: 浏览:

Angew:BiVO4光阳极的关键限制因素及其宏量制备

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BiVO 4 光电极受到光催化水氧化领域的广泛关注,但是通常因为 BiVO 4 需要直接热解合成,导致 BiVO 4 的本征光催化性能受到显著的阻碍。
有鉴于此, 中科院大连化物所章福祥等 通过沉积金属有机化合物的方法研究限制 BiVO 4 性能的关键因素。
本文要点
要点1.  研究发现热解蒸发 V 的过程通常导致显著的晶相不纯,形成的少量四方相显著阻碍光电子的分离性能。当沉积过程时加入合适的过量 V 前驱分子,能够消除不纯的晶相,因此 BiVO 4 光电极能够在 1.23 V RHE 电压实现 4.2 mA cm -2 电流密度的光电流,这个光电流达到目前两步电化学沉积方法制备的光电极性能。
要点2.  这种方法能够制备 25 cm 2 的大面积光电极,性能未见明显衰减,因此说明金属 - 有机分子沉积法制备大面积光电极的优势。本文研究为金属 - 有机分子沉积法制备大面积 BiVO 4 光电极提供一种具有前景的方法。
Nengcong Yang, Sainan Zhang, Yejun Xiao, Yu Qi, Yunfeng Bao, Peng Xu, Shengye Jin, Fuxiang Zhang, Insight into the Key Restriction of BiVO4 Photoanodes Prepared by Pyrolysis Method for Scalable Preparation, Angew. Chem. Int. Ed. 2023
DOI: 10.1002/anie.202308729
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/anie.202308729
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